金兰功率半导体(无锡)有限公司

IGBT 模块

金兰半导体推出的IGBT功率模块，具备高可靠、高性能、高效率三大核心优势。产品电压覆盖600V~1700V，电流覆盖10A~950A，可灵活满足不同功率等级的设计需求。
SiC 模块

金兰半导体推出基于碳化硅（SiC）技术的功率模块系列，包含SiC MOSFET模块与SiC混合模块，专为汽车电驱动、充电桩、光伏逆变器等对可靠性要求严苛的应用场景设计。
Si MOS模块

金兰半导体推出的硅基MOSFET功率模块，具备低导通电阻、高开关速度、高可靠性等优势。产品电压覆盖40V~650V，电流覆盖20A~500A，可满足中低压、高频、高效率电力转换需求。