金兰半导体推出的IGBT功率模块，具备高可靠、高性能、高效率三大核心优势。产品电压覆盖600V~1700V，电流覆盖10A~950A，可灵活满足不同功率等级的设计需求。

拓扑结构：

提供丰富的内部拓扑选项，包括一单元、半桥、全桥、三相桥、斩波、共发射极、三电平等，适配多种主流拓扑架构。

产品系列矩阵：

金兰IGBT模块系列矩阵覆盖从工业基础应用到高复杂度电力电子系统的各类功率模块，能够精准匹配客户多样化的应用场景需求。