金兰半导体推出基于碳化硅（SiC）技术的功率模块系列，包含SiC MOSFET模块与SiC混合模块，专为汽车电驱动、充电桩、光伏逆变器等对可靠性要求严苛的应用场景设计。

SiC MOSFET模块

采用第三代宽禁带半导体工艺，具备极低的开关损耗、高工作结温及优异的高频开关能力，可显著提升系统功率密度与转换效率。

SiC混合模块

该模块将IGBT与碳化硅肖特基二极管集成于高功率密度封装中。相比传统非混合型模块，其开关损耗更低，允许的工作温度更高。特别适用于需要低损耗的大功率应用，以及追求高频开关的系统——在此类系统中，碳化硅混合模块能带来更高的整体效率。

产品系列矩阵：
金兰SiC功率模块系列能够精准匹配从新能源汽车主驱逆变器到高压充电桩、光储系统等多样化应用需求，助力客户在高压、高温、高频场景下实现更高效率与功率密度。

金兰半导体碳化硅功率模块系列，助力客户在高压、高频、高温场景下实现更高效、更紧凑的系统设计。